Silikon nitrür tozunun yüzey modifikasyonu, esas olarak silikon nitrür parçacıklarının fiziksel ve kimyasal özelliklerini iyileştirmek için fiziksel ve kimyasal yöntemlerle gerçekleştirilir.
Silikon nitrür tozunun yüzey modifikasyonu, esas olarak silikon nitrür parçacıklarının fiziksel ve kimyasal özelliklerini iyileştirmek için fiziksel ve kimyasal yöntemlerle gerçekleştirilir.
Bakır, yüzeyinde yoğun ve stabil bir pasifizasyon katmanı oluşturmanın zor olması nedeniyle alüminyum ve nikel gibi metallerden farklıdır. Bu nedenle açıkta kalan bakır yüzeyi havadaki oksijen ve su buharı tarafından sürekli olarak oksitlenecek ve korozyona uğrayacaktır. Bakır tozunun parçacık boyutu ne kadar küçükse ve spesifik yüzey alanı ne kadar büyükse, bakır oksit (Cu2O) ve bakır oksit (CuO) gibi ürünleri üretmek için hızla oksitlenmesi o kadar kolay olur. Bu oksit yalıtım katmanı, bakır tozunun iletkenliğini önemli ölçüde azaltır ve parçacık sinterleme bağlantısını engeller, bu da iletken macunun performansının düşmesine neden olur.
Bakır nanoparçacıkları, ilginç özellikleri, düşük maliyetli hazırlıkları ve kataliz, soğutma sıvıları veya iletken mürekkeplerdeki birçok potansiyel uygulaması nedeniyle son yıllarda çok ilgi çekmiştir. Bu çalışmada, bakır nanopartiküller, inert gaz koruması olmadan suda bakır sülfat CUSO4 ve sodyum borohidrür NABH ₄ 'nin kimyasal olarak azaltılması ile sentezlendi.
Entegre devre (IC) teknolojisinin geliştirilmesi ile, silikon bazlı metal oksit yarı iletken (MOS) alan etkili transistörlerin (FET'ler) ölçeklendirilmesi temel fiziksel sınırlarına yaklaşmaktadır. Karbon nanotüpleri (CNT'ler), atomik kalınlıkları ve benzersiz elektriksel özellikleri nedeniyle silikon sonrası dönemde umut verici malzemeler olarak kabul edilir ve güç tüketimini azaltırken transistör performansını iyileştirme potansiyelidir. Yüksek saflıkta hizalanmış karbon nanotüpleri (A-CNT), yüksek akım yoğunlukları nedeniyle ileri IC'leri yönlendirmek için ideal bir seçimdir. Bununla birlikte, kanal uzunluğu (LCH) 30nm'un altına düştüğünde, tek geçit (SG) A-CNT FET'in performansı, esas olarak kötüleşen anahtarlama özellikleri ve artan sızıntı akımı olarak kendini gösteren önemli ölçüde azalır. Bu makale, teorik ve deneysel araştırma yoluyla A-CNT FET'teki performans bozulma mekanizmasını ortaya çıkarmak ve çözümler önermeyi amaçlamaktadır.
Grafen kaplı bakır ve gümüş kaplı bakır, her biri kendi avantajları ve dezavantajları olan iletkenlikte temel farklılıklara sahiptir ve uygulanabilir senaryoları da farklıdır.
